ICP刻蝕機(jī)是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。
ICP刻蝕機(jī)主要特點(diǎn)：
基于PC控制的立柜式百級(jí)ICP-RIE刻蝕系統(tǒng)，擁有快速的刻蝕能力；
配套LabView軟件，菜單驅(qū)動(dòng)，自動(dòng)記錄數(shù)據(jù)；
觸摸屏監(jiān)控；
全自動(dòng)系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖；
四級(jí)權(quán)限，帶密碼保護(hù)；
手動(dòng)上下載片；
可以支持ICP和RIE兩種刻蝕模式；
實(shí)時(shí)顯示真空、功率、反射功率圖表，以及流量實(shí)時(shí)顯示；
ICP刻蝕機(jī)配置內(nèi)容：
外觀尺寸：緊湊型立柜式設(shè)計(jì)，不銹鋼腔體，外觀尺寸為44”(W)x26”(L)x62”(H)；
等離子源：NM-ICP平面電感耦合等離子體源，帶有自動(dòng)調(diào)諧器，激活面積可以達(dá)到8”；
處理腔體：13”的圓柱形超凈腔體，材質(zhì)為陽(yáng)極電鍍鋁。晶片通過(guò)氣動(dòng)頂蓋裝載，腔體帶有上載安全鎖，用戶可以通過(guò)PC控制，至多可以裝載8個(gè)小尺寸基片，可支持的晶圓尺寸為8”。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置，提供8”區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護(hù)。
樣品臺(tái)：6”的托盤(pán)夾具，能夠支持6”的Wafer。可以冷卻到-120攝氏度（包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)），并采用He氣實(shí)現(xiàn)背部冷卻和自動(dòng)鎖緊，微精細(xì)地控制He氣流量，包含氣動(dòng)截止閥；
流量控制：支持6個(gè)或更多的MFC’s用于ICP高速刻蝕，帶氣動(dòng)截止閥，所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動(dòng)閥控制，電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件，所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計(jì)，從而減低空間浪費(fèi)并達(dá)到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后，采用N2自動(dòng)沖洗。
真空系統(tǒng)：泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。
RF電源：13.56MHz，帶自動(dòng)調(diào)諧功能的1200W射頻電源，作為ICP源。另外，帶自動(dòng)調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺(tái)偏壓。
操作控制：整個(gè)系統(tǒng)通過(guò)預(yù)裝的LabView軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)PC全自動(dòng)控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動(dòng)式的，都可PC控制。系統(tǒng)的實(shí)時(shí)壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示，而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機(jī)制的四級(jí)權(quán)限控制。
產(chǎn)品分類
更新時(shí)間：2020-12-09 
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