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    3分鐘帶你詳細了解等離子體增強MOCVD的技術特點和配置
    
            
    更新時間：2021-05-14      瀏覽次數：1436
    
            
    
            	 

        等離子體增強MOCVD也就是大名鼎鼎的MOCVD(金屬有機物化學氣相沉積),針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(PA-MOCVD),該系統具有加熱的氣體管路、5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、950度樣品臺三個氣體環、PC全自動控制、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5x10-7Torr極限真空)，*的安全互鎖。

        等離子體增強MOCVD技術特點：

        臺式系統

        5個帶獨立冷卻槽的起泡器

        加熱的氣體管路

        950°C樣品臺，2"晶圓片

        3個氣體環

        RF等離子源，帶淋浴頭氣體分布

        工藝完成后N2自動沖洗

        極限真空5x10-7Torr

        250l/s的渦輪分子泵串接無油干泵

        通過LabView軟件實現PC計算機全自動控制

        菜單驅動，4級密碼訪問控制

        完整的安全聯鎖

        等離子體增強MOCVD配置：

        獨立系統

        14"不銹鋼立方體腔體

        1次在8"樣品臺上處理1個6"晶圓片或在12"樣品臺上處理5片4"片子

        加熱的氣體管路

        RF等離子源，自動調諧

        淋浴頭氣體分布

        1100°C的旋轉樣品臺
    
            
    
         	
                                            
        
    
      
      
    
    
  
    

    

 



    
  
    
    
    
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