NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)。

NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)概述：

如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。

NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。

NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)特點(diǎn)：

• 14.5"不銹鋼立體離子束腔體

• 16cm DC離子槍1000eV,500mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板

• 離子束中和器

• 氬氣MFC

• 6"水冷樣品臺(tái)

• 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)

• 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜

• 手動(dòng)或自動(dòng)上下載晶圓片

• 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min

• 6"范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%

• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級(jí)別（配套500 l/s渦輪分子泵）

• 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達(dá)8x10-8Torr

• 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化

• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制

• 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)

• 完整的安全聯(lián)鎖