NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。

IBE離子束刻蝕系統(tǒng)

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。

NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 14.5”不銹鋼立體離子束腔體
• 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動不銹鋼遮板
• 離子束中和器
• 氬氣MFC
• 6”水冷樣品臺
• 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)
• 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
• 手動上下載晶圓片
• 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
• 6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
• 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達(dá)8x10-8Torr
• 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
• 基于LabView軟件的PC計算機(jī)全自動控制
• 菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護(hù)
• 完整的安全聯(lián)鎖