NMC-4000（M）PA-MOCVD設(shè)備：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置（各帶獨(dú)立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制。

等離子輔助MOCVD技術(shù)

NMC-4000（M）PA-MOCVD設(shè)備概述：

NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10^-7Torr極限真空)、PC全自動控制，*的安全互鎖。

目前，這項(xiàng)技術(shù)延伸到5個(gè)4"晶圓的立柜式獨(dú)立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成到集群配置中以滿足高產(chǎn)量的要求。

NMC-4000（M）PA-MOCVD設(shè)備應(yīng)用：

• Green LED’s (GaN, InGaN, AlGaN, ...)

特點(diǎn)：

• 獨(dú)立系統(tǒng)
• 14”不銹鋼立方體腔體
• 1次在8”樣品臺上處理1個(gè)6”晶圓片或在12”樣品臺上處理5片4”片子
• 加熱的氣體管路
• RF等離子源，自動調(diào)諧
• 淋浴頭氣體分布
• 1100°C的旋轉(zhuǎn)樣品臺
• N2沖洗
• 手動放置晶圓片